| 3B001.b.1 | не використовується; |
| 3B001.b.2 | призначене та оптимізоване для функціонування за енергії пучка 20 кеВ або більше та сили струму пучка 10 мА або більше для водневих, дейтерієвих або гелієвих імплантів; |
| 3B001.b.3 | можливість безпосереднього формування рисунка; |
| 3B001.b.4 | енергію пучка 65 кеВ або більше та силу струму пучка 45 мА або більше для високоенергетичної імплантації кисню у нагріту "підкладку" з напівпровідникового матеріалу; або |
| 3B001.b.5 | призначене та оптимізоване для функціонування при енергії пучка 20 кеВ або більше та силі струму пучка 10 мА або більше для імплантації кремнію у "підкладку" з напівпровідникового матеріалу, нагріту до температури 600° C або більше; |