| 3A001.b.3.a | розраховані для роботи на частотах, що перевищують 2,7 ГГц, але не перевищують 6,8 ГГц, та мають будь-яку з таких характеристик: |
| 3A001.b.3.b | розраховані для роботи на частотах, що перевищують 6,8 ГГц, але не перевищують 31,8 ГГц, та мають будь-яку з таких характеристик: |
| 3A001.b.3.c | розраховані для роботи з піковою вихідною потужністю у режимі насичення понад 0,5 Вт (27 дБм) на будь-якій частоті, що перевищує 31,8 ГГц, але не перевищує 37 ГГц; |
| 3A001.b.3.d | розраховані для роботи з піковою вихідною потужністю у режимі насичення понад 1 Вт (30 дБм) на будь-якій частоті, що перевищує 37 ГГц, але не перевищує 43,5 ГГц; або |
| 3A001.b.3.e |
розраховані для роботи з піковою вихідною потужністю у режимі насичення понад 0,1 нВт (-
70 дБм) на будь-якій частоті, що перевищує 43,5 ГГц;
Примітки. 1. Контрольний статус транзистора, номінальні робочі частоти якого відносяться до більше ніж одного діапазону частот, зазначеного у позиціях 3A001.b.3.a - 3A001.b.3.e, визначається найнижчим пороговим значенням для пікової вихідної потужності у режимі насичення. 2. Позиція 3A001.b.3 включає безкорпусні інтегральні схеми, а також інтегральні схеми, змонтовані на платі або у корпусі. Деякі дискретні транзистори можуть також називатися підсилювачами потужності, але контрольний статус таких дискретних транзисторів визначається згідно з позицією 3A001.b.3. |
Графік роботи:
ПН-ПТ: з 9 до 18
