| 3A001.a.1.a | сумарну дозу опромінення 5 х 10 3 Гр (кремній) або вище; |
| 3A001.a.1.b | потужність дози опромінення, що призводить до збою схеми, 5 х 10 6 Гр (кремній)/с або вище; або |
| 3A001.a.1.c |
флюенс (інтегральну густину потоку) нейтронів (що відповідає енергії 1 МеВ) 5 х 10 13
нейтронів/см 2 або вище на кремнії, або його еквівалент для інших матеріалів;
Примітка. Згідно з позицією 3A001.a.1.c контролю не підлягають структури метал-діелектрик-напівпровідник (МДН-структури). Примітка. Згідно з позицією 3A001.a.1 контролю підлягають радіаційно стійкі мікросхеми, спеціально призначені або модифіковані для захисту від факторів ядерного вибуху (наприклад, електромагнітного імпульсу (ЕМІ), рентгенівського випромінювання, комбінованого ударного і теплового впливу) і придатні для використання у "ракетах". |