| 2E003.a | "технологія" для "розроблення" інтерактивної графіки як вбудованої частини блоків "числового програмного керування" для підготовки або модифікації програм оброблення деталей; |
| 2E003.b | "технологія" виробничих процесів металообробки, а саме: |
| 2E003.c | "технологія" для "розроблення" або "виробництва" гідравлічних пресів для штамповки з витягуванням і відповідних матриць для виготовлення конструкцій корпусів літальних апаратів; |
| 2E003.d | "технологія" для "розроблення" генераторів машинних команд (наприклад, програм оброблення деталей) з проектних даних, що зберігаються всередині блоків "числового програмного керування"; |
| 2E003.e | "технологія" для "розроблення" інтеграційного "програмного забезпечення" для сполучення експертних систем комплексного прийняття рішень для підтримки процесів у цехових умовах з блоками "числового програмного керування"; |
| 2E003.f |
"технологія" нанесення зовнішніх шарів неорганічних покриттів або неорганічних покриттів з
модифікацією поверхні (зазначених у графі 3 наведеної нижче таблиці) на підкладки для неелектронних приладів/компонентів (зазначені у графі 2 тієї ж таблиці) з використанням технологічних процесів, зазначених у графі 1 тієї ж таблиці та визначених у технічній примітці.
Примітка. Таблиця та технічна примітка до неї наведені після позиції 2E901. Особлива примітка. Таблиця до позиції 2E003.f визначає "технологію" певного "процесу нанесення покриття" лише для тих "результуючих покриттів", що зазначені у графі 3 в абзаці, розташованому безпосередньо навпроти відповідної "підкладки", зазначеної у графі 2. Наприклад, технічні дані для процесу нанесення покриття методом "хімічного осадження з парової фази (CVD)" підлягають контролю у разі нанесення силіцидів на підкладки з "композиційних матеріалів" з вуглець-вуглецевою, керамічною або металевою "матрицею", але не підлягають контролю у разі нанесення силіцидів на підкладки з "цементованого карбіду вольфраму" (16) чи "карбіду кремнію" (18). У другому випадку результуюче покриття не входить в перелік покриттів, наведених у графі 3 в абзаці, розташованому безпосередньо напроти абзацу, в якому перераховані "цементований карбід вольфраму" (16) та "карбід кремнію" (18) у графі 2. |
Графік роботи:
ПН-ПТ: з 9 до 18
